平成２６年度全国発明表彰 受賞技術概要（敬称略）
（第一表彰区分一覧へ／第二表彰区分一覧へ）
日本経済団体連合会会長発明賞
ＮＡＮＤフラッシュメモリの高速化技術の発明（特許第４１９９２２０号）
| 中村 寛 | 株式会社東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 メモリ事業部 アドバンストメモリ設計技術部 部長 | |
| 今宮 賢一 | 株式会社東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 メモリ事業部 ｃＳＳＤ技術部 部長 | |
| 山村 俊雄 | 株式会社東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 メモリ事業部 メモリ設計第一部 参事 | |
| 細野 浩司 | 株式会社東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 メモリ事業部 アドバンストメモリ設計技術部 参事 | |
| 河合 鉱一 | 元 株式会社東芝 |
発明実施功績賞
| 田中 久雄 | 株式会社東芝 代表執行役社長 |
本発明では、ＮＡＮＤフラッシュメモリのデータ書込み動作を大幅に高速化するために、データ書込み動作中に必要なデータ入力動作とセル書込み動作の２つの動作を並列実行する（図１）。並列実行の実現のために、ビット線に対し、２種類のデータ記憶回路を設けるとともに、所要時間が非常に短いデータ転送動作を新規に導入した。更に、システムにより並列実行動作を制御可能にするために、第２のReady信号を新規導入し、従来Ready信号と第２のReady信号を同時にチップ外に出力する機能を搭載させた。
本発明により、従来技術よりも２倍程度という大幅な高速化を実現し、10MB/s以上のデータ書込み性能を達成した（図２）。更に、メモリコントローラの待ち時間を従来の1/30以下に短縮でき、システム全体としての高速化も実現した。これによりＮＡＮＤフラッシュメモリ市場の急激な成長を実現した。ＮＡＮＤフラッシュメモリは、スマートフォン等の多くの新市場を創出し続けることにより、快適な情報化社会を実現している。また、大幅な低電力化により、地球環境保全にも大きく寄与している。
 |
 |
| 図１ 本発明のデータ書込み動作の流れ | 図２ 本発明によるデータ書込み性能の向上 |
