平成２５年度全国発明表彰 受賞技術概要（敬称略）
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内閣総理大臣発明賞
裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサの発明（特許第３７５９４３５号）
| 馬渕 圭司 | ソニー株式会社 アドバンストデバイステクノロジープラットフォーム セミコンダクタテクノロジー開発部門 第1開発部 開発4課 統括課長 | |
| 鈴木 亮司 | ソニー株式会社 アドバンストデバイステクノロジープラットフォーム セミコンダクタテクノロジー開発部門 第3開発部 開発4課 | |
| 森 智則 | ソニーLSIデザイン株式会社 第3LSI設計部門 イメージセンサ設計2部 1課 |
発明実施功績賞
| 平井 一夫 | ソニー株式会社 代表執行役社長兼CEO |
本発明はCMOSイメージセンサ（CIS）の集光構造と製造方法に関するものである。
CISは、低消費電力の特徴により、携帯電話等の画像取得用途に使われて来た。しかし、画質重視の用途は光学特性に優れるCCDが主流だった。
CISの画素は光電変換部とトランジスタの素子により構成される。製造上、光電変換部よりも後に電源やパルスを与える為の配線を形成するので、従来は光を配線側（表面）から照射していた。裏面照射型CISでは、製造途中で基板を反転し、照射面を配線の反対側（裏面）としている。光学特性が配線層の影響を受けないので、撮像特性が大幅に改善された。
本発明では、基板を反転し配線層の反対側を入射面とし、且つ信号を効率良く取り出す為の光電変換部構造、基板薄膜化の製法等を示した。これにより、低消費電力で、高画質・高速・高機能な裏面照射型CISが実現された。今後は、人間の目を超える機能のセンサーとして期待される。
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