関東経済産業局長賞

高精度薄膜（半導体）構造解析Ｘ線分析方法（特許第4041808号）

【発明協会（東京）】

表　和彦	株式会社リガク　Ｘ線研究所　所長

実 施 功 績 賞

川上　潤	株式会社リガク　代表取締役　社長

　本発明は、Ｘ線を用いた半導体の膜構造解析を、短時間（角度１度当たり数秒程度）に大きなダイナミックレンジで高精度に測定することを可能にするＸ線反射率の測定方法に関するものである。
　本発明では、上限計数率が高く（１０の７乗ｃｐｓ以上）、ノイズレベルが十分低い（計数率換算で２０ｃｐｓ以下）Ｘ線検出器を用いることで、１点当たりのＸ線反射率の測定時間がきわめて短時間（５０ミリ秒以下）であっても所望のダイナミックレンジ（５桁）を確保できるため、高精度のＸ線反射率曲線のデータを得ることが可能になる。
　また、放物面または楕円弧形状の反射面を有する多層膜ミラーで平行化したＸ線ビームをＸ線管から出射することで、発散角０．０５度程度以下の高輝度ビームによるＸ線反射率の測定が可能となり、短時間での高精度測定を実現した。
　本発明によって、角度１度当たり数秒程度（１点当たり数十ｍｓｅｃ）と従来技術より二桁程度、処理能力が向上し、インラインでの高精度の膜構造解析（膜厚、密度、界面の粗さ等）が実用的に可能となり、ナノレベルの先端デバイス業界における研究、生産管理等の高性能化に寄与している。

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