文部科学大臣賞

３次元フラッシュメモリの発明（特許第5016832号）

［三重県発明協会］

鬼頭　傑	キオクシア株式会社　先端メモリ開発センター 先端メモリデバイス開発部　グループ長
青地　英明	キオクシア株式会社　メモリ技術研究所 デバイス技術研究開発センター　シニアエキスパート
勝又　竜太	キオクシア株式会社　先端メモリ開発センター センター長附
木藤　大	キオクシア株式会社 メモリ開発戦略部　参事
田中　啓安	キオクシア株式会社　先端メモリ開発センター 先端メモリデバイス開発部　参事
仁田山　晃寛	元　株式会社東芝

実 施 功 績 賞

成毛　康雄

キオクシア株式会社　代表取締役社長

　本発明は、動画・音楽・写真などを保存する携帯端末やデータセンターなどで利用されているフラッシュメモリに関するものである。従来、平面的に配置されていたメモリセルを立体的に配置し、一括加工プロセスを導入することで、大容量化と低価格化を可能にした。
　半導体の製造コストはチップサイズに依存する。大容量化と低価格化を両立させるにはメモリセルの微細化が必要となるが、従来の平面的なレイアウトでの微細化は物理的な限界に達していた。本発明では、メモリセルを立体的に配置した3次元構造とすることで大容量化を可能とした。また、メモリセルの電極となる層を積層した後、メモリセルを配置するための孔を一括で加工し、さらにその孔の内部にメモリ膜などを一括で形成することで、製造工程数の増加の抑制と、低価格化とを実現した。
　世界中の2次元フラッシュメモリが3次元フラッシュメモリに置き換えられつつあり、近い将来にほぼ全てが置き換えられると見込まれている。本発明は、3次元フラッシュメモリの技術として、国内外で広く実施されている。

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