関東経済産業局長賞

ＩＥ型トレンチゲートＩＧＢＴ（特許第6270799号）

【茨城県発明協会】

松浦　仁	ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社技術統括部　パワーデバイス開発部パワーデバイス第一課　技師
中沢　芳人	ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社技術統括部　パワーデバイス開発部　主管技師

実施功績賞

呉　文精	ルネサスエレクトロニクス株式会社代表取締役社長兼ＣＥＯ

　本発明は、N型ホールバリア層を有する異間隔トレンチIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）において、局所的な電界強度の高まりを抑制しつつ、デバイスの高性能化を実現するための　基本構成に関するものである。
　IGBTでは、デバイス主面側への正孔排出を制限してN-層の伝導度変調を促進させる事が、導通損失の低減に有効であるが、従来構造では性能向上に関わるプロセスパラメータをわずかに変更するだけでコレクタ-エミッタ間の耐圧が低下してしまうため、デバイス特性の最適化が難しかった。そこで、トレンチIGBTの幅の狭いストライプ状アクティブ領域にのみ、局所的にN型ホールバリア層を形成しつつ、非アクティブ領域にはトレンチ下端よりも深いP型フローティング領域を存在させる構成と製法を考案した。
　本発明によって、各種パラメータを変化させても、局所的電界強度の高まりによる耐圧低下は抑制され、著しい性能の向上に成功した。これによりハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)をはじめとする高耐圧/大電流機器の省電力化に大きく貢献している。

関東経済産業局長賞

ＩＥ型トレンチゲートＩＧＢＴ（特許第6270799号）

【茨城県発明協会】

実 施 功 績 賞

実施功績賞