関東経済産業局長賞
研磨装置の研磨対象物保持・研磨方法(特許第4515047号)
【神奈川県発明協会】
戸川 哲二 |
株式会社荏原製作所 精密・電子事業カンパニー 新事業推進統括部 執行役員 |
吉田 博 |
株式会社荏原製作所 精密・電子事業カンパニー CMP事業部 CMPプロセス室 プロセスソリューショングループ |
深谷 孝一 |
株式会社荏原製作所 精密・電子事業カンパニー CMP事業部 CMPプロセス室 プロセスソリューショングループ |
鍋谷 治 |
株式会社荏原製作所 精密・電子事業カンパニー CMP事業部 CMPプロセス室 ヘッド開発グループ |
福島 誠 |
株式会社荏原製作所 精密・電子事業カンパニー CMP事業部 CMPプロセス室 ヘッド開発グループ |
実 施 功 績 賞
前田 東一 |
株式会社荏原製作所 取締役代表執行役社長 |
本発明は、半導体ウェーハを研磨して平坦化する化学的機械的研磨(CMP)における研磨方法に関するものであり、トップリングに設置されたゴム等の弾性膜を介して流体圧により半導体ウェーハを均一に押圧する研磨方法である。
半導体ウェーハを押圧する弾性膜に対して、上方に伸びる折り返し部から構成される伸縮部と径方向外側に伸びる折り返し部から構成される伸縮部を配置する。これによって流体の供給に伴って伸縮部が研磨面に対して垂直方向に伸びるため、弾性膜と半導体ウェーハの当接部形状を保持できる。従って、弾性膜(当接部)と半導体ウェーハとの接触範囲を一定に保つことが可能になり、半導体ウェーハの被研磨面を均一に研磨することが可能である。
弾性膜に収縮部を設ける事により流体圧への追従が可能となり、半導体ウェーハの被研磨面の凹凸が抑制され、均一に研磨できる。これにより歩留まりが良くなり、半導体ウェーハの生産性向上、デバイス性能向上となる微細化も可能である。
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