特許庁長官奨励賞

低オン抵抗・高耐圧トランジスタ（特許第4749665号）

【京都発明協会】

吉持　賢一

ローム株式会社　ディスクリート・モジュール生産本部
トランジスタ製造部　商品開発一課　係長

実施功績賞

澤村　諭	ローム株式会社　代表取締役社長

この発明は、オン抵抗の低減を図りつつ、同時に破壊耐量を向上できる半導体素子を提供するものである。
従来、スイッチオフ時のサージ電流が流れることで機能素子が破壊されるのを防止するため、機能素子領域にサージ電流を選択的に流すための複数のダイオードセル（低抵抗領域）を設けた構成やセル内のダイオード領域を大きく設計した構成が提案されていたが、電流が特定のダイオードセルに局所的に集中することで起こる破壊や、数多く設けたダイオードセルによって機能素子領域が少なくなり、素子のオン抵抗が高くなるなどの問題点があった。
そこで、本発明ではこの機能素子を取り囲むように形成されたダイオード領域（低抵抗領域）を形成することにより課題を解決した。
これによりサージ電流は機能素子ではなくダイオード領域を流れるので、従来の構成のように電流が特定のダイオードセルに局所的に集中することなく、広い領域に分散されるため破壊耐量を向上できる。
また、この構成により従来必要であったダイオードセルを大きくした設計が不要になることから、単位面積あたりに多くの機能素子を形成できるので、オン抵抗を低減できる。

特許庁長官奨励賞

低オン抵抗・高耐圧トランジスタ（特許第4749665号）

【京都発明協会】

実 施 功 績 賞

実施功績賞