文部科学大臣発明奨励賞

電子デバイスの製造方法（特許第3688650号）

【神奈川県発明協会】

植松　育生	株式会社東芝　生産技術センタープロセス研究センター　主任研究員
速水　直哉	株式会社東芝　生産技術センタープロセス研究センター　研究主幹

実施功績賞

田中　久雄

株式会社東芝　代表執行役社長

本発明は、電子デバイス（半導体装置）の製造方法の、金属配線の加工プロセスにおけるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ/Reactive Ion Etching）後の処理工程を改良し、金属配線の腐食やビアフィルの腐食を招くことなくエッチング残渣を除去することを目的とする。
これを実現するために、エッチング残渣除去用水溶液として、酸化剤であるペルオキソ硫酸塩、金属のエッチング剤であるフッ素化合物、ｐＨ調整剤である酸を含むｐＨ値が０～３の無機系処理液を使用して金属配線の表面処理を行う。無機系処理液での反応メカニズムを世界に先駆けて明確化し、金属酸化物の生成と金属エッチングの競争反応、フッ素系化合物の解離をコントロールすることで、金属配線とビアフィルの腐食防止とエッチング残渣除去の両立を可能とした。
本発明により、半導体装置の製造において、従来の有機系処理液から環境負荷の小さい無機系処理液へ変更する業界トレンドを作り出し、年間３００トン以上の有機系処理液削減による環境負荷低減を実現した。

文部科学大臣発明奨励賞

電子デバイスの製造方法（特許第3688650号）

【神奈川県発明協会】

実 施 功 績 賞

実施功績賞